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SiCアライアンス

SiCアライアンスは、これらのプロジェクトをはじめ、SiCウエハ、素子及び自動車等の最終製品への実装などに関わる研究開発に関わる産学官が、情報共有、意見交換、研究開発連携をオールジャパン体制で進め、実用化、普及の早期実現を目指して活動する団体です。

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SiCアライアンス | sicalliance.jp Reviews
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SiCアライアンスは、これらのプロジェクトをはじめ、SiCウエハ、素子及び自動車等の最終製品への実装などに関わる研究開発に関わる産学官が、情報共有、意見交換、研究開発連携をオールジャパン体制で進め、実用化、普及の早期実現を目指して活動する団体です。
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KEYWORDS
1 SiC
2 電力制御
3 キーデバイス
4 パワー
5 半導体
6 シリコン
7 Si
8 エネルギー
9 炭化珪素
10 次世代自動車
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KEYWORDS ON
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sicアライアンス,会員はここからログインできます,2015/7/15 sicウェハ提供事業による研究の報告 を更新しました,一般社団法人 sicアライアンス発足のご挨拶,エネルギーの有効利用で活躍する電力制御システムのキーデバイスであるパワー半導体,このようなsicについて、複数の国プロジェクトが動き始めました,次世代パワーエレクトロニクス技術開発 グリーンitプロジェクト,低炭素社会を実現する新材料パワー半導体プロジェクト,うち、 と は終了,sicアライアンスへの入会申し込みは、随時受け付けています
SERVER
Apache
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SiCアライアンス | sicalliance.jp Reviews

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SiCアライアンスは、これらのプロジェクトをはじめ、SiCウエハ、素子及び自動車等の最終製品への実装などに関わる研究開発に関わる産学官が、情報共有、意見交換、研究開発連携をオールジャパン体制で進め、実用化、普及の早期実現を目指して活動する団体です。

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SiCアライアンスの活動 // SiCアライアンス

http://www.sicalliance.jp/sic_adtivity/index.html

オールジャパンの 情報交差点 で、 パワー半導体 SiC の開発に未来が見える。 平成28 年度第5 回広報 企画合同委員会 平成29 年1 月30 日 月 9 30 12 00開催. 4 SiCアライアンス シンポジウム 2/23 開催案内. 3 1/20 技術交流会 JAXA 報告. 4 福島再生可能エネルギー研究所 FREA との技術交流会について. 5 HP構造改善 開発 予算. 見積りに関する前回会議時 11/30 質問に対する回答 宿題事項. 平成28 年度第4 回広報 企画合同委員会 平成28 年11 月30 日 水 9 30 12 00開催. 2 JEITA半導体信頼性技術ガイドラインセミナー 11/22 報告. 3 SiCアライアンス 新金属協会 合同小委員会 予定. 平成28 年度第3 回広報委員会 平成28 年度9 月20 日 火 13 時 15 時開催. 1 広報委員長より、9/6 に実施の技術交流会 日産アーク 訪問について、報告書。 日時 10 月27 日 木 13 00 16 45 意見交換会 17 00 19 00. 技術交流会 JARI 訪問 は11/10 で決定。

2

サイエンス&データ // SiCアライアンス

http://www.sicalliance.jp/science_data/index.html

オールジャパンの 情報交差点 で、 パワー半導体 SiC の開発に未来が見える。 構成は、材料分野、デバイス プロセス分野、回路 実装 応用分野と3つの分野に分け、基礎から先端のトピックスまで項目を取り上げて解説していきます。 貫通刃状転位(TED : threading edge dislocation). 貫通らせん転位(TSD : threading screw dislocation). 基底面転位(BPD : basal plane dislocation).

3

SiCアライアンス概要 // SiCアライアンス

http://www.sicalliance.jp/alliance_outline/index.html

オールジャパンの 情報交差点 で、 パワー半導体 SiC の開発に未来が見える。

4

サイトマップ  // SiCアライアンス

http://www.sicalliance.jp/sitemap/index.html

オールジャパンの 情報交差点 で、 パワー半導体 SiC の開発に未来が見える。

5

SiCアライアンスWebサイトご利用ガイド // SiCアライアンス

http://www.sicalliance.jp/guide/index.html

オールジャパンの 情報交差点 で、 パワー半導体 SiC の開発に未来が見える。 現在実施されているSiC技術の開発に関する3つの国家プロジェクト 新材料パワー半導体、最先端研究開発支援プログラム、グリーンIT 次世代パワーエレクトロニクス とTIAで行われているSiC素子の大量供給を目指す 産業変革イニシアティブ に関する情報を提供します。 会員の自己紹介 では、会員のSiC関係の事業 活動やSiCに対する期待 想いを会員からの投稿及びインタビュー取材によって紹介していきます。 ユーザ デバイス、デバイス 材料、デバイス プロセスなどで相互に期待を理解することによって分野間の連携協力を促進します。 構成は、材料関係、デバイス プロセス関係、回路 実装 応用の3セッションからなります。 SiC関連データベース では、広報委員により作成、入力された、またはチェックされた材料、デバイス プロセス、実装 応用の3つの領域での基本かつ重要なデータの例を表にして掲載します。

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求人募集:六甲電子株式会社

http://www.rokkodenshi.com//recruit.html

担当 総務 大森 大貫 なお、ご記入に際しては プライバシーポリシー 個人情報保護方針.

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加工技術:六甲電子株式会社

http://www.rokkodenshi.com//processing.html

MEMS マイクロエレクトロニクスメカニカルシステム 加工が施された穴あき キャビティー構造 貫通電極 非円形などのウエハやSOI ガラス/Si貼り合せウエハなどの研削 研磨一貫加工が可能です。

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トピックス:六甲電子株式会社

http://www.rokkodenshi.com//topics.html

台湾で行われた SEMICON TAIWAN 2012. 六甲電子は グリーンカーテン 電力デマンド監視装置 による電気使用の徹底した制限を全社一丸となり実施することにより省エネ 電源使用の削減に貢献しております。 東京ビックサイトで行われた マイクロマシン MEMS展 2011. SICウエハ 3インチ 研削 研磨. サファイアウエハ 4インチ 研削 研磨. SEMI主催の SEMI FORUM JAPAN2011 で SFJテクノロジー イントロダクション セミナー 装置 材料のイノベーションをアピールする新たな技術セミナー として. MEMSウェハ特殊研削 研磨加工 SiC GaN サファイア基板 を発表しました。 大阪商工会議所で行われた DCPビジネス フォーラム 第19回例会 でのビジネスプラン発表で下記内容の六甲電子の取り組み内容を発表しました。 MEMSウェハ特殊研削 研磨加工 SiC GaN サファイア基板. 千葉幕張メッセで行われた セミコン ジャパン 2010. 1 松中 薫 取締役製造本部長 退任. 2 小林秀守 取締役総務 営業統括 取締役副社長.

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SIC:六甲電子株式会社

http://www.rokkodenshi.com//sic.html

既存のシリコン加工機で、 研削 研磨 RCA洗浄を実現。 現状の専用機での加工に比べ高速 低ソリ 高面粗度 大口径対応が可能となり、一貫加工にて対応いたします。 ウエハ表面金属不純物12元素 S, Cl, K, Ca, Ti, Cr,Mn,Fe,Co,Ni,Cu,Zn)の分析が可能です。 測定対応インチ 3 4 5 6インチ.

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パワーデバイス:六甲電子株式会社

http://www.rokkodenshi.com//power.html

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premium process:六甲電子株式会社

http://www.rokkodenshi.com//prmium.html

今まで裏面 ポリッシュ面 のパーティクル対応は有機洗浄 純水系の各種洗浄に頼っており、清浄度向上には限界があった。 当社では薄ウエハナイフエッジ防止のため、お客様の仕上げ厚み Ex. 100μ 50μなど に合わせたべベルの加工をバックグラインド前 提供された元厚時 に対応しております。 加工対象ウエハ 4 5 6 8インチ対応. SOI ガラス貼り合わせなど支持基板付ウエハの極薄加工から、一般量産薄物ウエハ 100-150μ品 など日々の量産受託加工において数十年の実績がございます。 MEMS対応 SOI ガラス/Si貼り合せウエハや穴あき キャビティー構造 貫通電極 非円形などのウエハ. 加工対象ウエハ 4 5 6 8インチ対応. 加工対応径 4 5 6 8 12 インチ. SOI ガラス/Si貼り合せウエハや穴あき キャビティー構造 貫通電極 非円形などのウエハを研削 研磨一貫加工いたします。 加工対象ウエハ 4 5 6 8インチ対応. 加工対応径 4 5 6 8インチ. 加工対象ウエハ 4 5 6 8インチ対応. 加工対応径 4 5 6 8インチ. 加工対象ウエハ 4 5 6 8インチ対応.

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お問合せ:六甲電子株式会社

http://www.rokkodenshi.com//form.html

担当 営業部 なお、ご記入に際しては プライバシーポリシー 個人情報保護方針.

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半導体センサー:六甲電子株式会社

http://www.rokkodenshi.com//sensor.html

また、センサー用ウエハは裏面に対しシリコン ガラスなどの接合を行うため、裏面をミラー面に仕上げ、接合面の平坦度を保たなければ電気特性 当たりの有る無し 、につながるため、通常のストレスリリーフといった研磨面ではなく、ミラー面を要求されております。

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MEMS 試作:六甲電子株式会社

http://www.rokkodenshi.com//mems.html

実績としてSOI ガラス/Si貼り合せウエハや穴あき キャビティー構造 貫通電極 非円形などのウエハを研削 研磨一貫加工いたします。 当社では薄ウエハナイフエッジ防止のため、お客様の仕上げ厚み Ex. 100μ 50μなど に合わせたべベルの加工をバックグラインド前 提供された元厚時 に対応しております。 加工対象ウエハ 4 5 6 8インチ対応. SOI ガラス貼り合わせなど支持基板付ウエハの極薄加工から、一般量産薄物ウエハ 100-150μ品 など日々の量産受託加工において数十年の実績がございます。 MEMS対応 SOI ガラス/Si貼り合せウエハや穴あき キャビティー構造 貫通電極 非円形などのウエハ. 加工対象ウエハ 4 5 6 8インチ対応. 加工対応径 4 5 6 8 12 インチ. SOI ガラス/Si貼り合せウエハや穴あき キャビティー構造 貫通電極 非円形などのウエハを研削 研磨一貫加工いたします。 加工対象ウエハ 4 5 6 8インチ対応. 加工対応径 4 5 6 8インチ. 加工対象ウエハ 4 5 6 8インチ対応. 加工対応径 4 5 6 8インチ.

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Shared rights and freedoms can assist us to scrape along together. December 21st, 2009. The Times, 26th November 2009. Beginning: www.timesonline.co.uk. Hedningarna - The Bear Tune - mp3. Lex on Rap DiNizio ( The Smithereens, solo ). December 17th, 2009. So I heard the Smithereens. From Trefoil Nine Larry. At the clip, Larry was cognized for his aversion for what he named ` modern pappa shite. ' He was before of the times and looked towards ` alternate ' music to feed his musical hungriness. ...And I sho...

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AAstra IP PBX sistemi. Stranke in poslovni partnerji odslej ne bodo več deležni neodgovorjenih klicev, niti besed "številka trenutno ni dosegljiva", saj v SiCall-u prevzamemo tako klice na fiksno, kot tudi na mobilno številko. V današnjem okolju poznamo več načinov vzpostavljanja neposrednega in trajnega stika s poslovnimi partnerji. Ne glede na vse nove načine komuniciranja, je od vseh navedenih možnosti telefonski pogovor najbolj oseben in neposreden. AAstra IP PBX sistemi. SI SKUPINA, d.o.o. Pridružit...

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2015/6/12) SiCアライアンスの活動 研究会報告 国内外の情報 学会 シンポジウム インタラクティブ 会員からのお知らせ を更新しました。 2015/5/7) サイエンス データ Hot&Coolな技術解説 を更新しました。 SiCアライアンスの活動 お知らせ 国内外の情報 国内外の情報 学会 シンポジウム、セミナー等 、 サイエンス データ ウエハ提供事業 を更新しました。 2015/3/13) 国内外の情報 国内外の情報 学会 シンポジウム、セミナー等 サイエンス データ Hot&Coolな技術解説 を更新しました。 2015/2/27) 国内外の情報 SiCアライアンスの活動 委員会活動報告 を更新しました。 一般社団法人 SiCアライアンス 会長 松波 弘之. 現在はSi シリコン 半導体が用いられていますが、Siに比べ格段に優れた省エネルギー性能や物理特性をもつSiC 炭化珪素 が新しいパワー半導体として注目されています。 低炭素社会創成へ向けた炭化珪素 SiC 革新パワーエレクトロニクスの研究開発 最先端研究開発支援プログラム.

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